Восстановление информации Бишкек, Кыргызстан | Восстановление данных Бишкек, Кыргызстан | Data recovery Bishkek Kyrgyzstan

Авторизация

Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации.

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.

Дешевые флеш-карты: хорошо или плохо?

Чем дальше развивается компьютерная индустрия, тем более емкими и быстрыми становятся накопители данных. Это даже не закономерность – это необходимость: c увеличением тактовой частоты процессора и системной шины возрастает «прогоняемый» поток данных – которые, соответственно, необходимо не только хранить, но и с нужной скоростью подавать туда, куда следует, и потом оттуда забирать.

Общепризнано, что наиболее быстрыми устройствами хранения информации в настоящее время являются твердотельные накопители (SSD). Их единственный, но при этом весьма существенный недостаток – цена. При стоимости единицы емкости в 2 – 3 раза выше, чем для традиционного НЖМД, такие устройства не могут стать массово используемыми по простой причине: это экономически невыгодно даже при двукратном – трехкратном приросте производительности.

Производители пытаются решить проблему цены несколькими способами: удешевление производства (использование максимально дешевой рабочей силы – как вариант), удешевление транспортировки, удешевление компонентной базы. Последний тип удешевления конечного устройства оказывается наиболее «мощным». Однако низкая цена компонентной базы, спасая стоимость устройства, негативно сказывается на его качестве: ни для кого не секрет, что SSD - устройства не слишком надежные, и после определенного времени использования неизбежно выходят из строя. Одна из причин этого – использование дешевой TLC-памяти и логического ее продолжения – памяти 3D-NAND.

TLC-память (от английского Three Level Cell – ячейка с тремя уровнями) – достаточно новая технология, при которой в одну ячейку памяти помещается 3 байта информации. TLC-память не отличается высокой скоростью работы, однако отличается низкой ценой; большинство флешек, выпускающихся в настоящее время, собраны именно на этой памяти. Память предусматривает приличный ресурс «spare size» («заменяемых объемов» - т.е., часть чипа зарезервирована под замену в случае выхода из строя или износа «рабочих» областей), и это, на самом деле, добавляет проблем. Контроллер NAND-микросхемы вынужден трудиться «в поте лица» для того, чтобы вовремя отловить и скорректировать ошибки, заменить необходимые изношенные области, предотвратить потерю данных, обеспечить связь устройства с операционной системой, и прочая, прочая, прочая… Не удивительно, что в современных флеш-накопителях проблемы случаются в 99 % случаев не с памятью, а с контроллером. При такой нагрузке он первым выходит из строя. Это, с одной стороны, хорошо: память остается относительно живой, ее можно считать и восстановить с нее данные. С другой стороны, это, конечно же, плохо, так как теряется само устройство и возможность его ремонта.

Однако для восстановления данных TLC-память дешевого сегмента – далеко не подарок. Этот тип NAND-микросхем очень капризный, требует исключительно осторожной пайки, так как при превышении температурного режима микросхемы часто меняются и ее читательно-писательные способности; кроме того, очень часто такие микросхемы требуют применения особых схем питания, которые при жизни устройства им обеспечивал контроллер. Именно поэтому чтение подобных микросхем памяти даже при наличии необходимого оборудования – задача нетривиальная, и часто занимающая очень немало времени. Все дело в том, что при чтении подобных микросхем часть блоков считывается уверенно и хорошо, а другая часть может читаться с «плавающим» результатом: блоки отдаются не полностью. Что любопытно: при повторном вычитывании те же самые блоки, которые читались хорошо, могут прочитаться плохо, и наоборот, те, что не читались – отдадут данные идеально. Но будут и такие блоки, которые в любом случае считаются плохо.

Для исправления ситуации с плохо читающимися блоками существует механизм коррекции ошибок (ЕСС). Этот механизм работает по разным алгоритмам в зависимости от параметров микросхемы, его функция: привести испорченные данные из блока в нормальное состояние валидных данных. При восстановлении данных механизмы ЕСС-коррекции активно используются для улучшения результатов чтения микросхем.

Однако наступает такой момент, когда чип вычитан максимально полно, все то, что можно было скорректировать с помощью ЕСС, скорректировано, но в вычитанном образе все еще имеется порядочное число нескорректированных данных. Для успешного восстановления данных их также необходимо вычитать. И вот тут начинается то, что в среде специалистов по восстановлению данных принято называть «танцы с бубном».

Чтение «сложных» микросхем может производиться разными способами и по разным алгоритмам, наиболее распространенным из которых является изменение используемой схемы питания чипа с рестартом микросхемы в случае чтения «мусора» или заведомо неверных данных, а также использование методов вариационной статистики для выделения валидных данных при нестабильном чтении блока с последующим применением к ним алгоритмов ЕСС.

Выглядит это примерно так:



Специализированная программно-аппаратная конструкция (мы используем РС-3000 Flash производства АСЕ Lab) позволяют открывать карту считанного устройства и просматривать ее в режиме реального времени. На приведенной выше карте видны области, которые были считаны по разному: салатно-зеленые квардарты показывают считанные валидные данные, черные – области, в которых не содержится информации, и желтовато-зеленые – считанные, но не скорректированные области. Составив карту только нескорректированных областей, мы получаем возможность работы исключительно с ними. Возможны любые операции, обычно применяемые к данным, от чтения до перезаписи или даже стирания.

Перечитывание даже ничтожно малого (по современным меркам) объема информации в 60 – 70 Мбайт может занять несколько дней. К сожалению, текущие технологии чтения NAND-микросхем, да и состояние этих самых микросхем, не позволяют делать этого быстрее, поэтому в случае, если Вы обратились к нам за восстановлением Ваших данных, будьте готовы к тому. что их вычитывание может занять немало времени.

Комментарии

Нет комментариев.

Добавить комментарий

Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.

Рейтинги

Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.
Время загрузки: 0,00 секунд
843,923 уникальных посетителей